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高二下學(xué)期物理知識(shí)點(diǎn)筆記
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高二下學(xué)期物理知識(shí)點(diǎn)筆記 1
電阻率
1.意義：電阻率是反映導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的物理量。材料導(dǎo)電性能的好壞用電阻率p表示，電阻率越小，導(dǎo)電性能越好，電阻率越大，表明在相同長(zhǎng)度，相同橫截面積的情況下，導(dǎo)體電阻就越大。
2.決定因素：由材料的種類和溫度決定，與材料的長(zhǎng)短、粗細(xì)無(wú)關(guān)。一般常用合金的電阻率大于組成它的純金屬的電阻率。
3.與溫度的關(guān)系：各種材料的電阻率都隨溫度的變化而變化。金屬的電阻率隨溫度的升高而增大(可用于制造電阻溫度計(jì));半導(dǎo)體和電介質(zhì)的電阻率隨溫度的升高而減小(半導(dǎo)體的電阻率隨溫度的變化較大，可用于制造熱敏電阻)。
高二下學(xué)期物理知識(shí)點(diǎn)筆記 2
功(W)
功是表示力作用一段位移(空間積累)效果的物理量。要深刻理解功的概念：
①如果物體在力的方向上發(fā)生了位移，就說(shuō)這個(gè)力對(duì)物體做了功。因此，凡談到做功，一定要明確指出是哪個(gè)力對(duì)哪個(gè)物體做了功。
②做功出必須具有兩個(gè)必要的因素;力和物體在力的方向上發(fā)生了位移。因此，如果力在物體發(fā)生的那段位移里做了功，則物體在發(fā)生那段位移的過程里始終受到該力的作用，力消失之時(shí)即停止做功之時(shí)。
③力做功是一個(gè)物理過程，做功的多少反映了在這物理過程中能量變化的多少。
④功可用公式W=Fscosα計(jì)算。當(dāng)0
⑤功是標(biāo)量，但功有正負(fù)。功的正負(fù)僅表示力在使物體移的過程中起了動(dòng)力作用還是阻力作用。
⑥和外力對(duì)物體所做的功等于各個(gè)外力對(duì)物體做功的代數(shù)和。
高二下學(xué)期物理知識(shí)點(diǎn)筆記 3
1.電流強(qiáng)度：I=q/t{I:電流強(qiáng)度(A)，q:在時(shí)間t內(nèi)通過導(dǎo)體橫載面的電量(C)，t:時(shí)間(s)｝
2.歐姆定律：I=U/R{I:導(dǎo)體電流強(qiáng)度(A)，U:導(dǎo)體兩端電壓(V)，R:導(dǎo)體阻值(Ω)｝
3.電阻、電阻定律：R=ρL/S{ρ：電阻(Ω/m)，L:導(dǎo)體的長(zhǎng)度(m)，S:導(dǎo)體橫截面積(m2)｝
4.閉合電路歐姆定律：I=E/(r+R)或E=Ir+IR也可以是E=U內(nèi)+U外{I:電路中的總電流(A)，E:電源電動(dòng)勢(shì)(V)，R:外電路電阻(Ω)，r:電源內(nèi)阻(Ω)｝
5.電功與電功率：W=UIt，P=UI{W:電功(J)，U:電壓(V)，I:電流(A)，t:時(shí)間(s)，P:電功率(W)｝
6.焦耳定律：Q=I2Rt{Q:電熱(J)，I:通過導(dǎo)體的電流(A)，R:導(dǎo)體的電阻值(Ω)，t:通電時(shí)間(s)｝
7.純電阻電路中：由于I=U/R，W=Q，因三此W=Q=UIt=I2Rt=U2t/R
8.電源總動(dòng)率、電源輸出功率、電源效率：P總=IE，P出=IU，η=P出/P總{I:電路總電流(A)，E:電源電動(dòng)勢(shì)(V)，U:路端電壓(V)，η：電源效率｝
9.電路的串/并聯(lián)串聯(lián)電路(P、U與R成正比)并聯(lián)電路(P、I與R成反比)
電阻關(guān)系(串同并反)R串=R1+R2+R3+1/R并=1/R1+1/R2+1/R3+
電流關(guān)系I總=I1=I2=I3I并=I1+I2+I3+
電壓關(guān)系U總=U1+U2+U3+U總=U1=U2=U3
功率分配P總=P1+P2+P3+P總=P1+P2+P3+
10.歐姆表測(cè)電阻
(1)電路組成
(2)測(cè)量原理
兩表筆短接后，調(diào)節(jié)Ro使電表指針滿偏，得Ig=E/(r+Rg+Ro)
接入被測(cè)電阻Rx后通過電表的電流為Ix=E/(r+Rg+Ro+Rx)=E/(R中+Rx)
由于Ix與Rx對(duì)應(yīng)，因此可指示被測(cè)電阻大小
(3)使用方法：機(jī)械調(diào)零、選擇量程、歐姆調(diào)零、測(cè)量讀數(shù){注意擋位(倍率)｝、撥off擋。
(4)注意：測(cè)量電阻時(shí)，要與原電路斷開，選擇量程使指針在中央附近，每次換擋要重新短接歐姆調(diào)零。
11.伏安法測(cè)電阻
電流表內(nèi)接法：電壓表示數(shù)：U=UR+UA
電流表外接法：電流表示數(shù)：I=IR+IV
Rx的測(cè)量值=U/I=(UA+UR)/IR=RA+Rx>R真;
Rx的測(cè)量值=U/I=UR/(IR+IV)=RVRx(RV+R)
選用電路條件Rx>RA[或Rx>(RARV)1/2]
選用電路條件Rx
12.滑動(dòng)變阻器在電路中的限流接法與分壓接法
限流接法:電壓調(diào)節(jié)范圍小，電路簡(jiǎn)單，功耗小
便于調(diào)節(jié)電壓的選擇條件Rp>Rx
電壓調(diào)節(jié)范圍大，電路復(fù)雜，功耗較大
便于調(diào)節(jié)電壓的選擇條件Rp
注：
(1)單位換算：1A=103mA=106μA;1kV=103V=106mA;1MΩ=103kΩ=106Ω
(2)各種材料的電阻率都隨溫度的變化而變化，金屬電阻率隨溫度升高而增大;
(3)串聯(lián)XX電阻大于任何一個(gè)分電阻，并聯(lián)XX電阻小于任何一個(gè)分電阻;
(4)當(dāng)電源有內(nèi)阻時(shí)，外電路電阻增大時(shí)，總電流減小，路端電壓增大;
(5)當(dāng)外電路電阻等于電源電阻時(shí)，電源輸出功率，此時(shí)的輸出功率為E2/(2r);
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一、焦耳定律
1、定義：電流流過導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量跟電流的平方、導(dǎo)體的電阻和通電時(shí)間成正比。
2、意義：電流通過導(dǎo)體時(shí)所產(chǎn)生的電熱。
3、適用條件：任何電路。
二、電阻定律
1、電阻定律：在一定溫度下，導(dǎo)體的電阻與導(dǎo)體本身的長(zhǎng)度成正比，跟導(dǎo)體的橫截面積成反比。
2、意義：電阻的決定式，提供了一種測(cè)電阻率的方法。
3、適用條件：適用于粗細(xì)均勻的金屬導(dǎo)體和濃度均與的電解液。
三、歐姆定律
1、歐姆定律：導(dǎo)體中電流I跟導(dǎo)體兩端的電壓U成正比，跟它的電阻R成反比。
2、意義：電流的決定式，提供了一種測(cè)電阻的方法。
3、適用條件：金屬、電解液（對(duì)氣體不適用）。適用于純電阻電路。
四、庫(kù)倫定律
庫(kù)侖定律（Coulombs law）是靜止點(diǎn)電荷相互作用力的規(guī)律。1785年由法國(guó)科學(xué)家C,-A.de庫(kù)侖根據(jù)實(shí)驗(yàn)得出，真空中兩個(gè)靜止的點(diǎn)電荷之間的相互作用力與它們的電荷量的乘積成正比，與它們的距離的二次方成反比，作用力的方向在它們的連線上，同名電荷相斥，異名電荷相吸。
五、電阻率
1、意義：電阻率是反映導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的物理量。材料導(dǎo)電性能的好壞用電阻率p表示，電阻率越小，導(dǎo)電性能越好，電阻率越大，表明在相同長(zhǎng)度，相同橫截面積的情況下，導(dǎo)體電阻就越大。
2、決定因素：由材料的種類和溫度決定，與材料的長(zhǎng)短、粗細(xì)無(wú)關(guān)。一般常用合金的電阻率大于組成它的純金屬的電阻率。
3、與溫度的關(guān)系：各種材料的電阻率都隨溫度的變化而變化。金屬的電阻率隨溫度的升高而增大（可用于制造電阻溫度計(jì)）；半導(dǎo)體和電介質(zhì)的電阻率隨溫度的升高而減小（半導(dǎo)體的電阻率隨溫度的變化較大，可用于制造熱敏電阻）。
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1、晶體：外觀上有規(guī)則的幾何外形，有確定的熔點(diǎn)，一些物理性質(zhì)表現(xiàn)為各向異性。
非晶體：外觀沒有規(guī)則的幾何外形，無(wú)確定的熔點(diǎn)，一些物理性質(zhì)表現(xiàn)為各向同性。
①判斷物質(zhì)是晶體還是非晶體的主要依據(jù)是有無(wú)固定的熔點(diǎn)。
②晶體與非晶體并不是絕對(duì)的，有些晶體在一定的條件下可以轉(zhuǎn)化為非晶體石英→玻璃。
2、單晶體多晶體
如果一個(gè)物體就是一個(gè)完整的晶體，如食鹽小顆粒，這樣的晶體就是單晶體單晶硅、單晶鍺。
如果整個(gè)物體是由許多雜亂無(wú)章的小晶體排列而成，這樣的物體叫做多晶體，多晶體沒有規(guī)則的幾何外形，但同單晶體一樣，仍有確定的熔點(diǎn)。
3、晶體的微觀結(jié)構(gòu)：
固體內(nèi)部，微粒的排列非常緊密，微粒之間的引力較大，絕大多數(shù)微粒只能在各自的平衡位置附近做小范圍的無(wú)規(guī)則振動(dòng)。
晶體內(nèi)部，微粒按照一定的規(guī)律在空間周期性地排列即晶體的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，不同方向上微粒的排列情況不同，正由于這個(gè)原因，晶體在不同方向上會(huì)表現(xiàn)出不同的物理性質(zhì)即晶體的各向異性。
4、表面張力
當(dāng)表面層的分子比液體內(nèi)部稀疏時(shí)，分子間距比內(nèi)部大，表面層的分子表現(xiàn)為引力，如露珠。
1作用：液體的表面張力使液面具有收縮的趨勢(shì)。
2方向：表面張力跟液面相切，跟這部分液面的分界線垂直。
3大小：液體的溫度越高，表面張力越小;液體中溶有雜質(zhì)時(shí)，表面張力變小;液體的密度越大，表面張力越大。
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牛頓運(yùn)動(dòng)定律的應(yīng)用
1、運(yùn)用牛頓第二定律解題的基本思路
（1）通過認(rèn)真審題，確定研究對(duì)象。
（2）采用隔離體法，正確受力分析。
（3）建立坐標(biāo)系，正交分解力。
（4）根據(jù)牛頓第二定律列出方程。
（5）統(tǒng)一單位，求出答案。
2、解決連接體問題的基本方法是：
（1）選取的研究對(duì)象。選取研究對(duì)象時(shí)可采取“先整體，后隔離”或“分別隔離”等方法。一般當(dāng)各部分加速度大小、方向相同時(shí)，可當(dāng)作整體研究，當(dāng)各部分的加速度大小、方向不相同時(shí)，要分別隔離研究。
（2）對(duì)選取的研究對(duì)象進(jìn)行受力分析，依據(jù)牛頓第二定律列出方程式，求出答案。
3、解決臨界問題的基本方法是：
（1）要詳細(xì)分析物理過程，根據(jù)條件變化或隨著過程進(jìn)行引起的受力情況和運(yùn)動(dòng)狀態(tài)變化，找到臨界狀態(tài)和臨界條件。
（2）在某些物理過程比較復(fù)雜的情況下，用極限分析的方法可以盡快找到臨界狀態(tài)和臨界條件。
易錯(cuò)現(xiàn)象：
（1）加速系統(tǒng)中，有些同學(xué)錯(cuò)誤地認(rèn)為用拉力F直接拉物體與用一重力為F的物體拉該物體所產(chǎn)生的加速度是一樣的。
（2）在加速系統(tǒng)中，有些同學(xué)錯(cuò)誤地認(rèn)為兩物體組成的系統(tǒng)在豎直方向上有加速度時(shí)支持力等于重力。
（3）在加速系統(tǒng)中，有些同學(xué)錯(cuò)誤地認(rèn)為兩物體要產(chǎn)生相對(duì)滑動(dòng)拉力必須克服它們之間的靜摩擦力。
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